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元件参数资料
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参数目录35973
> 2SD1803S-E TRANS NPN HI CURRENT SW TP
型号:
2SD1803S-E
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANS NPN HI CURRENT SW TP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
2SD1803S-E PDF
标准包装
500
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
400mV @ 150mA,3A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
140 @ 500mA,2V
功率 - 最大
1W
频率 - 转换
180MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装
TP
包装
散装
查看2SD1803S-E代理商
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